首页碳化硅器件工艺难点在哪里？
衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅工艺基本一致，然后就是后道的晶圆切die，封装测试等，基本流程和硅差不多。
19 / 12 / 2024 | 常见问题Read More >
为什么碳化硅晶圆成本高？
碳化硅的长晶技术大致有三种，PVT物**相传输法，HT-CVD高温气相沉积法，以及LPE溶液法。 其中PVT比较主流，优点是简单，可靠，成本可控。CVD对设备要求太高，价格很贵，只有高质量的半绝缘衬底会用这个方法；LPE溶液法能做天然P型衬底，但是缺陷很难控制，还需要时间积累，日本公司不少专注于这个路线。
19 / 12 / 2024 | 常见问题Read More >碳化硅功率器件的性能优势
碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料，基于其优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件。
19 / 12 / 2024 | 常见问题Read More >固相烧结碳化娃(SSiC)优缺点
固相烧结碳化硅晶界较为“干净”，高温强度并不随温度的升高而变化，一般在温度达1600℃强度不发生变化。固相烧结碳化硅主要缺点是需较高的烧结温度(>2000℃)，对原材料的纯度要求高，烧结体断裂韧性较低，有较强的裂纹强度敏感性，在结构上表现为晶粒粗大且均匀性差，断裂模式为典型的穿晶断裂。
18 / 12 / 2024 | 常见问题Read More >
